开云app官网：东芝和西数正研发128层3D NAND闪存最早2020年上市

根据外媒的报导，东芝及其战略盟友西部数据打算发售更高密度128层3DNAND存储器。在东芝的命名法中，该芯片将命名为BiCS-5。　　据介绍，芯片将构建TLC，而不是改版的QLC。

这有可能是因为NAND存储器制造商依然对QLC芯片的低产量有担忧。该芯片的数据密度为512Gb，新的128层芯片的容量比96层芯片多33%，可以在2020到2021年构建商业化生产。　　据报导，新的芯片每单位信道的载入性能从66MB/s减少到132MB/s。

据报导，该芯片还使用了CuA（阵列电路），这是一种设计创意，节省了15%的芯片尺寸。

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